“第三届（２００８年度）中国半导体创新产品和技术评选”获选项目

1前言

加快技术创新、努力开拓市场，既是发展我国半导体产业的长期着力点，更是当前摆脱国际金融危机深度影响的关键抓手。

由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会、中国电子报社联合主办的第三届（2008年度）中国半导体创新产品和技术评选活动产生的31项获选产品和技术，系根据评选条件从业界踊跃申报的74个项目中脱颖而出的优秀代表。它们拥有自主知识产权，产品和技术已经得到实际应用，并在产业化方面取得一定进展，既在技术创新又在市场开拓上获得了成功，显现了我国半导体产业界活跃发展的态势。

推介和宣传年度获选的31项产品和技术，旨在发挥其示范和引领作用，推动半导体产品和技术的自主创新和产业化、市场化，打造本地品牌，完善产业链建设，加快我国半导体产业的发展。经过多年的不懈努力，我国半导体产业取得了明显的进步，形成了一定的积累，具有一定的创新开拓能力；同时，我国巨大的内需市场为半导体应用提供了多领域、多层面的广阔市场空间。扬帆远航正有时，是火花总是要迸发。衷心希望产业界在创新和市场化上取得更新更大的成绩，希望国内的产学研用进一步合作，为市场提供创新性、先进性的成果，不断开创我国半导体产业的新局面。

这次31项获选的产品和技术，集中展示整个产业链从产品开发、芯片加工、封装测试、专用设备、测试系统、专用材料等各个环节创新产品和技术成果，显着的特点是产品开发支持我国自主制定的3G手机标准、数字音视频标准、无线/有线传输标准等，产品具有创新性和先进性；在太阳能电池市场需求的拉动下，从多晶生长到硅太阳能电池加工，国内已能提供配套设备；半导体材料产业的发展在继续拓展量大面广产品领域的同时，重点加强了超净、高纯气体和化学试剂的研发，提供国内高端芯片加工用户使用。现摘要介绍，以飨读者。

2评选条件和程序

2.1 评选条件

（1）产品或技术的研发主体必须为在中国注册的企业或事业单位，产品的主要研发工作在中国内地完成；

（2）产品或技术应具有创新性和先进性，并拥有自主知识产权；

（3）产品或技术已经得到实际应用，并在产业化方面取得一定进展；

（4）产品进入市场或技术成熟应用的时间、国家有关部门受理或授权相关发明专利和自主知识产权的时间在2007~2008年度；

（5）已经在2006~2007年度被评为中国半导体创新产品和技术的产品和技术不再参评。

2.2 评选程序

（1）全部参选的产品和技术由条件审查小组按照评选条件进行初审；符合条件的产品和技术由评选会进行评审。

（2）评选会上，由各项目主、副审评委员介绍参评项目；到会委员采取无记名投票方式进行投票评选。第一轮，预投票；第二轮为最终投票。得票2/3以上（含）的产品和技术为 “第三届（2008年度）中国半导体创新产品和技术”。

（3）根据“公正、公平、公开”的原则，评选结果于2009年1月20日至2月10日通过主办单位网站和《中国电子报》向业界公示，公开征求社会意见，接受各方面的监督。公示期未有异议，最终评选结果与公示结果一致，于2009年2月25日在上海举办的“中国半导体市场年会”上发布“第三届（2008年度）中国半导体创新产品和技术”评选结果。

3评选结果

参加评选的产品和技术是由会员单位自荐、协会分会和地方协会推荐的项目，范围包括集成电路产品和技术、集成电路制造技术、分立器件、封装与测试技术、半导体设备和仪器、半导体专用材料。经评选委员会按照评审条件和程序进行严格的综合评价，共评选出31项创新产品和技术（见表1）。

4获选项目简介

埃帕克森微电子（上海）有限公司：项目采用UMC/HJ 0.25μm 3.3/2.5V CMOS CIS光电晶元工艺，采用创新技术实现稳定可靠的图像预处理及运动识别和抗干扰能力，将电源管理、图像传感器阵列、接口电路、振荡器和数字内核等多个电路模块直接集成到导航系统控制芯片上，并使得片外组件减到最少。目前主要应用在电脑周边的产品领域，特别是高端的光电导航鼠标产品上。

北京君正集成电路有限公司：Jz4740基于君正原创的XBurst CPU技术。Jz4740系列SoC芯片集成XBurst CPU内核、一个16K指令高速缓存和一个16K数据高速缓存，支持标清多个格式视频解码，全芯片功耗低于300 mW，同时集成了大量外部设备接口，是一款面向移动信息处理应用的高级多媒体处理器SoC。其应用领域包括PMP、学习机、低价电脑、GPS、移动电视、门禁系统、指纹识别等多个领域。

北京天科技有限公司：TD-HSDPA是3GPP R5 版本提供的支持移动因特网和视频多媒体业务等要求宽带数据速率的一种重要技术，集中体现TD-SCDMA适合传输下行数据速率高于上行的非对称的因特网业务的核心价值。TD-60291芯片可应用于TD-HSDPA手机终端、TD-HSDPA数据卡以及智能手机等。该芯片是我国设计并被国外手机厂商采用的可大批量生产的首款可支持2.8M TD-HSDPA高速下载的第3代移动通信终端基带芯片。

北京中电华大电子设计有限责任公司：HED07W04SU产品是一款符合GB15629系列国家无线标准、符合中国无线局域网安全标准（WAPI）和IEEE802.11a/b/g/i/e相关标准的无线基带SoC芯片。片内集成了CPU、802.11MAC/基带、多种安全算法核和高速AD/DA。华大电子通过WAPI-WLAN这一项目，掌握了高端SoC芯片设计的核心技术，建立了一支具有完整通信芯片设计能力的队伍。

北京中天联科微电子技术有限公司：项目可完成QPSK和8PSK解调及LDPC解码功能。在8PSK模式下可提供45MSps符号率，最高120Mbps净码率。如使用AVS或H.264等先进视频编码手段，可实现单一转发器搭载15路高清卫星电视节目。经测试，基于该芯片实现的接收系统实测载噪比门限与理论仿真结果仅相差0.1～0.3dB，其数据传输能力、接收门限等指标达到或超过最新一代国际卫星通信技术标准DVB-S2水平。

北京中星微电子有限公司：项目芯片采用高性能SoC架构及低功耗0.13μm制程，支持多种多媒体编解码格式及丰富的外围接口和存储扩展选择，辅以性能强大稳定的开发式软件系统，可以作为开放的移动多媒体平台为手机提供灵活多样的应用，能充分满足手机电视、蓝牙、GPS等新兴应用在手机中普及的需要。VC0818BYAA芯片将数码相机功能和视频回放编码功能结合为一体，项目成果的高集成度将给未来手机实现多媒体提供低能耗、小空间、低成本的解决方案。

杭州国芯科技有限公司：项目在技术上与国际同类产品及国内同行业中的产品相比有明显的比较优势。ABS-S标准是我国自主知识产权的直播卫星传输标准，随着直播卫星市场的快速发展，全国产化直播卫星解调、解码芯片组（GX1121+GX3001）产品自身的优越性能以及作为业界唯一能够提供一站式完整解决方案的领先优势，使公司将在今后的产业化推进过程中向直播卫星机顶盒厂商提供最具竞争力的产品和服务。

杭州士兰微电子股份有限公司：项目自行设计的基于BCD工艺的大功率白光LED控制驱动芯片，采用了BCD工艺，整合高效的可集成器件结构、高效的线路构架及高性能的模块技术，创新突出，技术上处于国内领先水平。本产品基于士兰微电子在白光LED控制驱动芯片产品线的持续投入过程中所积累的资源和技术，目前已完成芯片设计、芯片制造工艺开发、封装测试方案的开发工作，并已进行了产业化开发。

华亚微电子（上海）有限公司：HTV270 是针对中小尺寸高清液晶电视市场的高度集成单芯片产品，可以支持1080P高清信号的处理与计算机VGA图像 （1920×1200@60Hz） 信号输入。该芯片采用了多制式自适应电视信号解码技术，自适应2D梳状滤波技术，自适应2D去隔行技术，高性能图像缩放技术以及动态图像增强技术等，均属于华亚微（上海）有限公司自主创新的专利技术。该产品可广泛应用于中小尺寸的液晶电视。

炬力集成电路设计有限公司：项目产品是以0.18μm双电压数模混合工艺正向设计完成的双内核系列单芯片（SoC）。内含一颗32bit MIPS控制器和一颗定点运算24bit DSP。MIPS用于控制IC内部及周边功能电路，DSP设计工作目标达90 MIPS，主要用于音频编解码处理和图像数据处理。以MIPS+DSP为核心，拥有DSP、 MIPS、Sigma-delta DAC/ADC、模拟电路、PLL等核心技术，拥有WMA、G.729、TTS、MP3 解码器/编码器等核心算法。

上海坤锐电子科技有限公司：QR2233是一款支持EPCglobal Class1 Gen2协议的超高频RFID芯片。该芯片支持在EPCglobal C1G2协议中所描述的存储器结构和命令，能应用于物流、仓储、身份识别、防伪和很多其它领域。本产品是在新加坡特许半导体0.35μm工艺的开发样品基础上，进一步对芯片的功耗、面积、灵敏度等技术指标通过系统级和电路级的优化，研究芯片与标签天线的匹配理论和模型，提高了标签的读出率和可靠性。

苏州国芯科技有限公司：C*Core CPU设计技术，是在摩托罗拉技术的基础上，经过消化吸收再创新，发展了具有自主知识产权的32位嵌入式RISC CPU系列C305、C310、CS320、C340，具有低功耗、高性能、高代码密度等特点，可广泛应用于工业控制、移动设备、数码产品等嵌入式产品。CPU 按行业标准硬核化，支持中芯国际（SMIC）、台积电（TSMC）、和舰科技（HJTC）和华虹NEC（HHNEC）等先进生产线。

新相微电子（上海）有限公司：NV2029是用于TFT-LCD屏的源驱动芯片，具有处理64灰阶显示的能力。它的数据输入是基于数字信号形式，按一个时钟的两个沿（上升沿、下降沿）共采样3个点（一个象素点），每个点是6bits的数据形式。通过芯片内部的6bits D/A转换电路和外部送入的两组γ电压（每组7个），NV2029能够输出经γ校正的64灰阶电压值，从而实现26万色的全彩色显示。目前主要用于15英寸、17英寸、20英寸以及22英寸等机种的TFT-LCD液晶显示屏。

上海华虹NEC电子有限公司：项目产品工艺具备高耐压、高可靠性、低功耗、驱动能力强以及易与标准CMOS工艺兼容的特点，与其它高压工艺相比，由于此项工艺所需的掩膜层次较少，器件驱动能力强，设计尺寸合理，并拥有独立的IP及十几项专利，使得客户产品的性价比得到质的飞跃。同时,40V高压驱动技术平台提供高性能电容、高阻抗多晶硅电阻等可选工艺，方便客户混合信号电路产品的设计。这是在大显示屏、汽车电子应用领域最受欢迎的高压驱动电路平台之一。

苏州固锝电子股份有限公司：旁流二极管模块是太阳能光伏发电装置的重要组件之一，其作用在于当太阳能电池板接收不到太阳能或者损坏而使线路呈现高阻的情况下承担旁流作用，从而维持整个太阳能发电装置的输出，其工作原理为：二极管与光伏组件阵列的每个单元并联，某个光伏组件或某个单元被遮挡，造成该单元输出特性变坏，与之并联的其它单元承担总电流，当电流超过自身光生电流时，由IV特性可知，工作点进入反偏区，且反向电压远大于正常工作电压，开始迅速升温，形成热斑。

江苏长电科技股份有限公司：SiP系统级封装的U盘是一个USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品，与传统U盘相比，有着轻薄短小、容量大且可靠性高的特点。其核心USB模块采用了板上芯片封装技术（COB），它的标准尺寸为24.8mm×11.3mm×1.4mm，因此必须在有限的空间内进行多层裸芯片的堆叠，以实现更高容量的存储。 USB模块采用了环氧树脂密封技术，因此具有极好的防水、防震、防压功能。

南通富士通微电子股份有限公司：公司自主开发以无引脚芯片载体（Leadless Chip Carrier，LCC）形式封装MEMS加速度传感器，它的主体是亚微米的CMOS电路、发热与测温等微机械结构，产品已批量生产。该MEMS加速度传感器的灵敏度为10-3g，可用于笔记本电脑、手机、白色家电及汽车电子等产品。该LCC封装产品已成功应用于相关公司的微机电系统中，项目技术及产品达到国内领先、国际先进技术水平。项目产品在北京奥运会开幕式上成功使用。

天水华天科技股份有限公司：带腔体的光电封装件，其外引脚不裸露，共面性好，封装成品率和整机安装合格率高。改变框架的外引脚，提高材料利用率，缩短生产周期，结构简单合理，体积小、灵敏度高、抗干扰能力强、生产效率高，应用于各种电子设备、仪器的带腔体的光电集成电路封装。带腔体的光电封装件包括引线框架载体、引线框架内引脚、引线框架外引脚、塑封体、粘片胶、光电IC芯片。

无锡华润安盛科技有限公司：为了满足电子产品轻薄小、高承受功率、高频率、高精度等的多方面要求，在原有SOP基础上，研发符合国际标准的更小型的高功率的封装形式MSOP10-EP产品，其体积只有同类SOP-EP的30%，厚度只有0.85mm，引脚间距只有0.5mm，主要应用于电源管理与功率驱动电路中。其在超薄型的基础上增加外露散热片的设计，其功能和性能已达到了该领域国际水平，目前正进入批量产阶段。

北京京运通科技股份有限公司：JZ-660型多晶铸锭炉应用定向固化技术，采用垂直梯度定向结晶工艺对加热器的温度进行精确控制，有效地控制热量的输入和输出，从而保证出色的产品质量，可以在较低的温度梯度下工作，在50～60个小时生长出660kg的硅锭。在生长期间，利用隔热层的运动实现规定定向晶体生长，在装料和取硅锭的过程中，只应用下炉室的升降，单位能耗是单晶硅炉的50%，设计能耗约为35kWh/kg。

北京七星华创电子股份有限公司：CS系列气体质量流量控制器/流量计是一种可以对多种中小流量气体质量流量的精确测量和控制的设备。该产品具有精度高、响应速度快、密封性好、耐腐蚀、低零漂和温漂、使用方便等特点。该产品可以适用于8英寸半导体IC生产线、高真空设备等需要数字质量流量控制器的领域，改变了我国数字质量流量控制器完全依赖进口的局面。

大连佳峰电子有限公司：全自动上片机是集成电路（IC）、功率IC、晶体管等产品的后道封装设备，用于将芯片从晶圆蓝膜上取出，并连接到引线框架或基板上。其中：HS-DC01上片机用于IC的封装，适用于DIP、SOP、SOT、PLCC、TSOP、QFP、标准的BGA等的封装形式；上片机SS-DT01适用于功率IC、晶体管TO-92、TO-126、TO-220、TO-3P等的封装形式。本设备填补国内空白，替代进口设备，技术水平与国际先进水平同步。

格兰达技术（深圳）有限公司：项目所设计的全自动测试编带机融合光机电一体化、智能控制、计算机图像处理等高新尖端技术，解决测试编带机的全自动及高速高精度等问题。本项目的顺利实施将打破境外和国际上大公司的技术垄断，掌握封装测试的关键技术，进而开发出具有自主知识产权的全自动测试编带机。该产品技术上有创新，实用性强，填补了国内相关空白，处于国内领先水平，可替代进口，市场前景广阔。

兰州瑞德设备制造有限公司：该机主要用于光学玻璃、陶瓷、电子材料及硅、锗、计算机磁盘等金属、非金属硬脆材料的四动双面高精度研磨加工，适用于8英寸以下及同尺寸规格异形平行平面材料的双面精密研磨加工。大型硅片双面研磨机的开发将会填补国内在大型研磨机发展方面的空白，有利于我国机械产品的质量和性能与国际水平接轨，更有助于提高国内企业自主研发能力，可以大幅度降低半导体建线的投入成本，从而真正支撑我国信息产业的发展。

西安理工晶体科技有限公司：硅芯炉是改良西门子法——氢气还原三氯氢硅气相沉积法生产多晶硅的辅助生产设备，是改良西门子法还原炉中发热载体——硅芯的控制设备。硅芯是在气氛条件下，采用基座法高频感应线圈加热原料多晶硅粗棒控制细硅芯的电子专用设备。该炉可供每炉拉制4根硅芯的能力，满足国内还原炉对2000mm、2500mm、2800mm硅芯的要求。

中国电子科技集团公司第二研究所：真空/可控气氛共晶炉是微电子封装领域的专用设备，可用于共晶管芯贴片、光纤封装、陶瓷封装封焊、共晶凸点的焊接等领域。利用共晶合金的特性实现芯片与基板、基板与管壳、盖板与壳体的焊接。共晶时无需使用助焊剂；真空环境下共晶可有效地减少空洞；具有充惰性气体提供气氛保护功能；如辅以专用的夹具，则能实现多芯片一次共晶。此设备是机电一体化产品，具有真空系统、冷却系统、加热系统、充气系统；用户通过控制软件界面设定工艺曲线,系统自动完成整个工艺过程。

中微半导体设备（上海）有限公司：中微公司Primo D-RIE系列90、65纳米刻蚀设备采用创新的设计，可应用于12英寸晶圆、90纳米及更高端工艺的芯片制造。具有自主知识产权的甚高频和低频混合射频去耦合反应等离子体源，独特的多反应室--双反应台系统和单芯片独立加工环境，使Primo D-RIE适用于包括极深接触孔刻蚀、硬模板刻蚀、金属接触孔刻蚀、浅槽刻蚀等各种介质刻蚀，不仅各项刻蚀质量指标达到或超过了国外同类产品最先进的水平，而且设备的产出效率比国外同类产品高出35～50%。

大连保税区科利德化工科技开发有限公司：高纯氨（99.99994%）产品是光电子、微电子技术不可缺少的材料，广泛应用在半导体照明、平板显示、太阳能电池以及大规模集成电路制造领域中。高纯氨的质量直接影响材料的光学性能和电学性能，乃至器件的使用寿命。科利德公司在国家“863”计划和发改委高技术产业化示范工程项目的支持下，经过几年的努力，完成了高纯氨产品纯化技术的开发，同时建设年产600吨产业化生产线。产品填补国内空白。

河北普兴电子科技股份有限公司：公司自主研发的8英寸厚层外延片，主要用于制作功率MOSFET器件，该外延片很好的解决了自掺杂对厚度均匀性及电阻率均匀性的影响，制成的器件击穿电压和导通电阻等和国外进口产品相当，一致性及离散性等性能优于国外产品。该产品的主要创新性体现在：功率VDMOS是在MOS集成电路的工艺基础上发展起来的新一代电力电子开关器件，实现了电力设备高功率大电流高耐压的要求，广泛用于开关电源、汽车电子、不间断电源、电子转换电路、节能灯、逆变器等各种领域。

宁波华龙电子股份有限公司：TO-220防水塑封引线框架的结构设计，采取在产品的基片与散热片相连的颈部设一燕尾状挡水槽，挡水槽延伸至两端后折弯，并延伸至基片背面，同时在基片正面近燕尾侧面的部位，基片背面与燕尾侧面相交的边角部设挡水凹槽。2007年公司自主研制开发了TO-220防水塑封引线框架，是半导体功率器件塑料封装所必需的重要组件。2007年下半年开始小批量生产并逐步提供用户应用。

万向硅峰电子股份有限公司：针对硅对入射太阳光的反射损失率高达30%以上的缺陷，为了提高转换效率，从减少这种反射损失的技术入手，在（100）型硅片表面上，采用各向异性化学腐蚀，在其表面形成随机分布的倒金字塔结构，制取特殊结构表面（绒面），获得非常理想的表面陷光效果，使入射太阳光受表面第一次反射后，又得到第二次入射进硅衬底的机会，大大地增加了光吸收，提高了光能利用率。 （陈贤）

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