将硅衬底LED产业化上升为国家战略

随着蓝光LED技术发明人中村修二等LED专家获得诺贝尔物理奖，LED作为主流照明技术的地位已被奠定，且正在引发世界照明工业的革命。根据生长衬底不同，蓝光LED技术有三条主流技术路线：以日本日亚为代表的蓝宝石衬底LED技术、以美国Cree为代表的碳化硅衬底LED技术和以中国晶能光电为代表的硅衬底LED技术，而前两条技术路线已经被欧、美、日等国占尽先机。那么如何提升我国在LED照明产业中的国际地位和竞争力？“我国自主知识产权的硅衬底LED技术从源头上避开了发达国家的技术壁垒，不仅从实验室走向了国际市场，更是已经具备了大规模产业化能力。”江西省工业和信息化委员会主任胡世忠在接受《中国电子报》记者专访时表示，“建议把硅衬底LED产业化上升为国家战略来重点推进。”硅衬底LED技术打破国际垄断

硅衬底LED技术打开了我国LED产业自主发展的空间，能够显著提升我国的产业地位和竞争力。

经过多年的运作，五家国际大企业已经通过交叉授权等手段，在LED产业构筑了森严的专利壁垒。而我国的硅衬底LED技术从源头上避开了这一壁垒，已申请和拥有多项国际国内专利，实现了核心部件每一层都有专利保护。对此，胡世忠认为，硅衬底LED技术打开了我国LED产业自主发展的空间，对我国半导体照明产业发展具有重大战略意义和产业价值，尤其是能够显著提升我国在此产业中的国际地位和竞争力。

目前，硅衬底LED技术已经实现了从实验室走向国际市场的完美蜕变。记者了解到，江西省LED企业晶能光电硅衬底大功率LED芯片已大规模量产，性能与国际大厂相当。实验室水平已达封装后白光效率160Lm/W，为全球硅衬底LED技术最高水平。去年8月，美国能源部《固态照明研究与发展制造蓝图》报告中明确写道：“晶能光电是硅衬底LED技术的最早实践者，并在2012年6月开始量产硅衬底氮化镓LED裸芯。”这是国际上对晶能光电在硅衬底LED技术上领先的认可。

“随着硅衬底LED技术和工艺的成熟，产品正在向一系列性能更高、附加值更高的照明领域延伸。”胡世忠告诉记者，“在某些细分市场，硅衬底LED产品已经超越国际大厂，占据市场份额第一的位置，成为江西省乃至我国LED产业与国际大厂同台竞争的核心优势。”

在国际大厂的围追堵截下，硅衬底LED技术能一路发展起来实属不易，而这一成就得益于江西省围绕硅衬底LED技术垂直整合打造的一条具有核心竞争力的产业链。不仅如此，胡世忠还透露，江西正在大力推动LED芯片生产方式的升级改造，一批高端装备项目正在抓紧实施。

在各界的共同努力下，硅衬底LED产业生态圈已初步形成。同时，记者还了解到，这一技术已经具备了大规模产业化能力。硅衬底最大的优势是可以在更大尺寸上制作LED器件，并且可以采用集成电路生产工艺和设备，大幅提高生产效率，降低成本。目前晶能光电公司研发的6英寸硅外延和芯片关键技术已经取得了突破，中试已经成功，将加快实现产业化进程。

应给予硅衬底LED技术大力支持

将硅衬底LED技术上升为国家技术战略已成为我国LED产业可持续发展的迫切所需。

近期，国家工程院陈良惠院士和863计划光电子主题原首席科学家陈皓明教授等专家联合向中央建言：“纵观全国前沿技术，离国际最近的就是硅衬底LED技术，希望中央给予硅衬底LED技术大力支持。”同时，专家们也深表担忧：“国外大企业正在追赶，如不抓紧，就有可能起个大早赶个晚集。”将具有完整自主知识产权的硅衬底LED技术上升为国家技术战略已成为我国LED产业可持续发展的迫切所需。

为此，胡世忠在不同层面提出了具体建议。首先，在产业地位层面，建议推动硅衬底LED产业发展成为国家战略，统筹有关专项资金全力支持和推进。在国务院领导下，组建专项领导小组，由工信部牵头，各部门协同，形成合力，予以重点推进。在国家“十三五”产业规划编制中，明确将硅衬底LED技术作为LED产业重点发展方向，在专项和基金方面对其倾斜。

其次，在发展战略层面，建议实施创新驱动发展战略，促进硅衬底LED技术与集成电路技术集成创新，推动硅衬底LED高端装备制造业发展。在国家863计划或国家重大科研计划中，支持LED芯片制造、器件封装等高端装备制造业发展，以保持硅衬底LED技术在国际上的领先地位。

再次，在产品应用层面，建议加速硅衬底LED技术产品的推广应用，大力支持硅衬底LED技术产品出口。对内，应发挥好国家高技术开发专项和节能专项补贴等政策引导作用；对外，不妨在援助项目中优先选用硅衬底LED照明产品。

最后，他建议，还应在专利技术保护、国家标准建设、金融机构支持等多方面全力做好保障。

“要发挥好政策性资金的引导作用，才能充分撬动社会资金加大对硅衬底LED上、中、下游领域的投入。”胡世忠表示。

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