光子晶体专利技术现状与发展趋势

总结与建议

经过国内外科学家的艰苦努力，光子晶体理论和器件的设计原理已经较为完善，但仍然需要克服光子晶体制造方面的挑战，比如制造工作在可见光波段具有完全带隙的三维光子晶体，在三维光子晶体中引入缺陷，和亚纳米量级的制造精度。虽然国内光子晶体研究已经取得了长足的进步，专利申请量已遥遥领先世界各国，但是我们应当清醒地看到自身的问题和未来技术发展的前景，笔者提出以下两点建议：

（1）认清技术发展的潮流，勇于站到技术的最前沿，不要一味地做跟随研究。国内科研人员仍缺乏足够的自信和勇气，倾向于选择国外研究热点作为研究方向。在中国国力和科研实力不断增强的今天，科研投入已处于前列，我们完全可以做别人没做的领域。

（2）进一步加强专利意识。尽管国内光子晶体的专利申请量已经很大，但是国内科研人员仍然习惯性地发表文章而不申请专利。虽然理论计算和实验性的制作是光子晶体研究的主流，但是理论计算和实验性制作往往包含了创新性的技术方案，在几十年后可能产生巨大的经济效益，应当今早寻求专利保护，以应对将来可能存在的专利纠纷。

参考文献：

[1] 王伟，侯蓝田.光子晶体光纤的现状和发展[J].激光与光电子学进展，2008，45（2）：43-51.

[2] 赵致民，许兴胜，李芳，等.光子晶体的微腔特性[J].半导体学报，2006，27（6）：1034-1036.

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